GaN系材料層への電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062324
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270619
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 GaN系FET製造時に適用するとゲートリーク電流を小さくすることができるGaN系材料層への電極形成方法を提供する。【解決手段】 GaN系材料層4の表面4AにAl,Ti,Ta,Pt,W,Ni,Agの群から選ばれる少なくとも1種の金属もしくはそれらの合金またはそれら金属とSiとの合金6を所定のパターンで付着せしめ、温度300°C以上の熱処理を施して金属または合金の拡散層を形成し、ついで、王水または塩酸による湿式処理を施して拡散層を除去したのち、そこに、目的とする電極を形成するGaN系材料層への電極形成方法。

請求項（抜粋）：

GaN系材料層の表面にAl,Ti,Ta,Pt,W,Ni,Agの群から選ばれる少なくとも1種の金属もしくはそれらの合金またはそれら金属とSiとの合金を所定のパターンで付着せしめ、温度300°C以上の熱処理を施して前記金属または合金の拡散層を形成し、ついで、王水または塩酸による湿式処理を施して前記拡散層を除去したのち、そこに、目的とする電極を形成することを特徴とするGaN系材料層への電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/28 A , H01L 21/308 G , H01L 29/80 F

Fターム (32件)：

4M104AA04 , 4M104BB06 , 4M104CC03 , 4M104DD21 , 4M104DD24 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F043AA16 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043BB10 , 5F043BB16 , 5F043BB18 , 5F043BB27 , 5F043DD02 , 5F043GG04 , 5F102FA05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GN04 , 5F102GR04 , 5F102GT03 , 5F102GT04 , 5F102GT05 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21 , 5F102HC24

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-252441 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029307 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭61-154070

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