特許

J-GLOBAL ID：200903081396299831

反射フォトマスクの製造方法

発明者： 金 元 柱 ,  宋 利 憲 ,  金 錫 必 ,  張 丞 ▲かく▼ ,  柳 元 壹 ,  金 勲
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041522
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229239
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】反射フォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板100を準備する段階と、基板100上にEUVL光を反射しうる反射層110を形成する段階と、反射層110上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体とそれにより定義される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、酸化物ウィンドウにEUVL光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターン140を形成する段階と、酸化物パターン体を除去する段階と、を含む反射フォトマスクの製造方法である。【選択図】図5F

請求項（抜粋）：

基板を準備する段階と、 前記基板上にEUVL光を反射できる反射層を形成する段階と、 前記反射層上に酸化物層を形成する段階と、 前記酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体と当該酸化物パターン体により画定される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、 前記酸化物ウィンドウにEUVL光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターンを形成する段階と、 前記酸化物パターン体を除去する段階と、を含むことを特徴とする反射フォトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A

Fターム (8件)：

2H095BA10 ,  2H095BB06 ,  2H095BB14 ,  2H095BB25 ,  2H095BC24 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16 ,  5F046GD17