特許

J-GLOBAL ID：200903081399199927

ソリッドステートリレー

発明者： 杉元 周一 ,  藤川 元成 ,  中村 真司 ,  多田 有為
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173221
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018003
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 発熱量を抑えるとともに信頼性の高いソリッドステートリレーを安価に提供する。【構成】 受光素子3、第1のMOSFET5aのソース電極11a及び第2のMOSFET5bのソース電極11bをそれぞれダイパッド9c,9a,9b上にダイボンドする。受光素子3のカソード3aと中継用リード10aを金線8でワイヤボンディングし、中継用リード10aと第1のMOSFET5aのソース電極11a及び第2のMOSFET5bのソース電極11bを1本のアルミ線12でステッチボンディングする。受光素子3のアノード3bと中継用リード10bを金線8でワイヤボンディングし、中継用リード10bと第1のMOSFET5aのゲート電極13a及び第2のMOSFET5bのゲート電極13bをアルミ線12でステッチボンディングする。

請求項（抜粋）：

発光状態と消光状態とに切替わる発光部と、前記発光部から出射された光を受光する受光部と、前記受光部で生じた光起電力によってスイッチング動作を行なう第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子を備え、前記受光部、前記第1の半導体スイッチング素子及び前記第2の半導体スイッチング素子をリードフレーム上にほぼ一列に実装して封止成形したソリッドステートリレーにおいて、前記受光部の電極と電気的に接続された前記第1の半導体スイッチング素子の電極と前記第2の半導体スイッチング素子の電極を直接ワイヤボンディングしたことを特徴とするソリッドステートリレー。