特許
J-GLOBAL ID：200903081401229090
不正コピーを防止した不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035169
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】隠し記憶領域に不正コピー防止用の特殊コードが書込まれていないデバイスが、不正に入手されても不正コピーされたデータの不正使用を不可能にする。【解決手段】不揮発性の半導体メモリにおいて、通常のデータを記録する主記憶領域1に加え、不正コピーを防止する特殊コードを記録する隠し記憶領域2を有し、該隠し記憶領域は、書込みプロテクト状態時は読出し許可状態にあり、そうでない時は読出し禁止状態にある。半導体メモリのベンダーが隠し記憶領域に特殊コードを記録し書込みプロテクト状態にして初めて、隠し記憶領域の読出しが可能になる。該書込みプロテクト状態への変更方法は、ベンダー以外には秘密になっている。その結果、隠し記憶領域に特殊コードが記録していない半導体メモリを、闇市場で不正に入手しても、隠し記憶領域の読出しが禁止されたままであるので、不正コピーしたデータを利用できず、不正コピーが防止される。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き込み及び読み出しを行う不揮発性の半導体メモリにおいて、通常のデータを記録する主記憶領域と、不正コピーを防止するための特殊コードを記録する隠し記憶領域と、前記隠し記憶領域を書き込みプロテクト状態にする書き込みプロテクト回路とを有し、前記隠し記憶領域は、書き込みプロテクト状態の時は読み出し許可状態にあり、書き込みプロテクト状態ではない時は読み出し禁止状態にあることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
Fターム (7件)：
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD14
, 5B025AE10
