特許
J-GLOBAL ID：200903081401627230
3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307944
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126949
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】成長過程において量子箱が形成されるようにすることで、量子箱としての特性の向上及び製造の容易化を図ること。【解決手段】活性層6は、膜厚約5nmのAl0.05Ga0.95N から成る障壁層62とその障壁層の中にGa0.8In0.2N から成る井戸箱61が島状に点在する量子箱構造である。Ga0.8In0.2N の格子定数とAl0.05Ga0.95N の格子定数の差のGa0.8In0.2N の格子定数に対する割合を0.02より大きくすることで、障壁層の上にGa0.8In0.2N を成長させる時、面状ではなく、点島状に成長することから、成長過程において、障壁層の中に井戸箱を点在させた量子箱構造を製造することができる。量子箱構造に活性層を形成したので、キャリア閉じ込め効果が高くなり、発光効率が向上する。又、薄膜成長工程において、量子箱が形成されるために、製造が極めて簡単となる。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体を活性層とした発光素子において、前記活性層を、井戸部がAlx1Gay1In1-x1-y1N(0≦x1≦1,0 ≦y1≦1,0 ≦x1+y1≦1)、障壁部がAlx2Gay2In1-x2-y2N(0≦x2≦1,0 ≦y2≦1,0 ≦x2+y2 ≦1)で形成され、前記井戸部の格子定数をa1、前記障壁部の格子定数をa2とする時、|a1-a2 |/a2>0.02を満たす量子箱で構成したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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