特許
J-GLOBAL ID：200903081407025313
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174241
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020877
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【構成】 チップセレクト入力信号CS及びライトイネーブル入力信号WEが共に“L”になってからt1後に信号CWを“H”にするとともに前記入力信号のうち少なくとも一つが“H”になったときに直ちに信号CWを“L”にするマスク信号生成回路11と、アドレス入力信号A0〜AN及びデータ入力信号D0〜DMのうちの一つの信号が変化したときにt2だけ信号ADを“L”にするアドレス・データ変化検出回路15′と、それぞれ信号CW、ADが“L”になったときにt3だけそれぞれパルス信号P1、P2を“L”にするライトパルス発生回路21、25とを書き込み制御回路に設けたことを特徴としている。【効果】 書き込み回路2及びメモリセル群3の動作時間を必要最小限にし、消費電力を低減できる半導体記憶装置が得られる効果がある。
請求項（抜粋）：
データを記憶するメモリセル群と前記データの前記メモリセル群への書き込み動作を制御する書き込み制御回路とを備えた半導体記憶装置において、データの書き込みを命令し前記書き込み制御回路に入力する書き込み命令信号が全てアクティブになってから第1の一定時間後に出力信号をアクティブにするとともに前記書き込み命令信号のうち少なくとも一つがノンアクティブになったときに直ちに前記出力信号をノンアクティブにするマスク信号生成回路と、前記書き込み制御回路に入力されるアドレス入力信号及びデータ入力信号のうちの一つの信号が変化したときに第2の一定時間だけ出力信号をアクティブにするアドレス・データ変化検出回路と、前記マスク信号生成回路の出力信号がノンアクティブになったときに第3の一定時間だけ出力信号をアクティブにする第1のライトパルス発生回路と、前記アドレス・データ変化検出回路の出力信号がアクティブになったときに前記第3の一定時間だけ出力信号をアクティブにする第2のライトパルス発生回路とを前記書き込み制御回路に設けたことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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