特許
J-GLOBAL ID：200903081411521643
スパツタリング用ターゲツト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-076575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-086456
出願日： 1991年04月09日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【構成】 本発明のスパッタリング用タ-ゲットは、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%、残部がCoからなる組成に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%、及び/またはZr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%、及び/またはMg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%加える。【効果】 本発明のタ-ゲットによれば、磁性特性、特に保磁力(Hc)を向上させることができる。また、該タ-ゲットを低硫黄化することができ、したがって、該ターゲット中の格子欠陥を減少させることができ、成膜したハ-ドディスクの均質性を向上させ、該ハ-ドディスクの品質及び歩留まりを大幅に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有し、残部がCoからなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件)：
引用特許：
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