特許

J-GLOBAL ID：200903081411944846

低反射部材

発明者： 山本 孝幸 ,  野田 謙 ,  南崎 喜博 ,  朝尾 浩幸 ,  遠藤 喜重 ,  小野 雅彦
出願人/特許権者： 日東電工株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341438
公開番号（公開出願番号）：特開平6-155652
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：

【要約】【構成】 支持基材の表面に、好ましくは平均粒径が10nm〜1μmのシリカ微粒子を単粒子層として配列し、これを好ましくはエポキシ基および/またはビニルエーテル基を有するカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分で被覆し紫外線照射によって硬化させてなるものである。また、上記単粒子層中に、さらに導電性微粒子が配されているか、または該単粒子層と基体との間に、導電性微粒子とカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分とを含有する帯電防止層が設けられているものである。【効果】 耐熱性に劣る基体にも適用できて、基体表面にシリカ粒子を結着させる薄膜を形成してなる低反射部材、さらにこの低反射機能を有する低反射部材に、導電性機能を付加してなる低反射部材が提供できる。

請求項（抜粋）：

支持基材の少なくとも片面にシリカ微粒子が単粒子層として配列され、該シリカ微粒子がカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分にて固定されてなることを特徴とする低反射部材。

IPC (8件)：

B32B 9/00 ,  C09D 4/00 PDQ ,  C09D 5/00 PNV ,  C09D 5/00 PNW ,  C09D 5/00 PPQ ,  C09D 5/24 PQW ,  C09D163/00 PHZ ,  G02B 1/10