半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276063
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120965
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板裏面に不純物を添加したシリコン酸化膜を堆積し、低温でゲッタリング層を形成し、しかも、工程数の増加を押さえて製造コストが高くなることを防いだ半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子分離領域形成時において、ゲッタリング層となるシリコン薄膜の堆積工程を、エッチングストッパとして使用しているシリコン薄膜の堆積工程と兼用し、ゲッタリング層を専用の形成工程を設けることなしに形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子分離領域を形成する際、シリコン基板の表面および裏面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面のシリコン酸化膜のみを選択的に除去し、前記シリコン基板の裏面を露出させる工程と、前記シリコン酸化膜上および前記露出されたシリコン基板の裏面に、CVD法によりシリコン薄膜を形成する工程と、前記シリコン薄膜上に第1の薄膜を形成する工程と、前記シリコン基板表面の前記第1の薄膜上に素子分離用レジストをパターンニングする工程と、前記パターンニングされたレジストをマスク材として、エッチングを行い前記シリコン基板表面の第1の薄膜をパターンニングする工程と、前記パターンニングされた第1の薄膜をマスクに素子分離領域用酸化膜を形成する工程とを具備し、前記シリコン基板の裏面に形成されたシリコン薄膜を使用しゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 21/762

FI (3件)：

H01L 21/322 P , H01L 21/322 R , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-159741
特開昭57-062538
特開昭64-046937

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