特許
J-GLOBAL ID：200903081418017150
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055421
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263812
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 光通信システムに用いる希土類添加光ファイバ増幅器励起用光源として駆動電流を上昇させることなく高出力を実現し、高信頼性を有する半導体レーザ装置を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にGaAsバッファ層2、GaAs基板に格子整合したn-InGaPクラッド層3、InGaAsP障壁層13、15及びInGaAs歪量子井戸層14から構成される活性層4、GaAs基板に格子整合したp-InGaPクラッド層5、p-GaAs光導波路層6、GaAsに格子整合したp-InGaPクラッド層7、p-GaAsキャップ層8により形成されるリッジがn-InGaP電流狭窄層9により埋込まれることにより構成されている。【効果】 高温高出力時においても熱飽和による素子特性劣化を起こすことなく、長時間にわたって安定に動作する半導体レーザを実現することができる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に光を発生する活性層と光を閉じ込める半導体クラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造と共振器方向に沿ってストライプ状に他の部分よりも実効屈折率の高い領域を有し、レーザ光の波長が0.9μm〜1.1μmの範囲である半導体レーザ装置において、上記活性層が少なくとも1層のInGaAsにより構成された量子井戸と隣接するIn(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)の障壁層から構成されており、かつxが0.5以上、yが0.3以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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