特許

J-GLOBAL ID：200903081422577330

炭化珪素への電極形成法および半導体素子

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方 ,  上野山 雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110746
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 裏面に成長した炭化珪素にイオン注入し、または裏面に成長した炭化珪素を除去することにより、裏面に良好なオーミック接触を得る。【解決手段】 基板21に対して炭化珪素22を表面に成長させる際に同時に成長する裏面炭化珪素23に対して窒素イオン注入を行い、イオン注入層24にオーミック電極26を形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面に炭化珪素を成長させる第1の工程と、第1の工程により成長した炭化珪素を有する基板裏面側の少なくとも一部にイオン注入する第2の工程と、第2の工程によりイオン注入された面にオーミック電極を形成する第3の工程とを含む電極形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/46 F

Fターム (19件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15