特許

J-GLOBAL ID：200903081423664881

半導体装置

発明者： 安藤 守
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022414
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。【解決手段】 半導体基板60と、前記半導体基板60の所定の能動素子形成領域61に能動素子が形成され、前記能動素子形成領域61の前記基板60の裏面を前記能動素子の一の電極とした一の外部接続用電極62が形成され、前記能動素子の他の電極と電気的に接続され、前記能動素子形成領域61と分離形成された前記半導体基板60の一部分よりなる他の外部接続用電極63、64が形成され、前記外部接続用電極62、63、64を分離するスリット孔80内に絶縁樹脂層95を充填する。

請求項（抜粋）：

基板の所定の能動素子形成領域に能動素子が形成され、前記能動素子形成領域の前記基板の裏面を前記能動素子の一の電極とした一の外部接続用電極領域と、前記能動素子の他の電極と電気的に接続され前記基板の一部分よりなる他の外部接続用電極領域とを有した半導体基板と、前記他の電極と前記他の外部接続用電極とを電気的に接続する配線パターンが形成され、且つ前記配線パターンの一部分と導通された配線基板とを有し、前記半導体基板と前記配線基板とが一体化され、前記半導体基板上に形成された前記配線パターンを介して前記能動素子の他の電極と前記他の外部接続用電極とが接続され、前記半導体基板に設けられたスリット孔内に絶縁樹脂層が充填されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 21/288 N ,  H01L 29/78 652 Q

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公昭45-036054
  
• 特公昭46-034658