特許

J-GLOBAL ID：200903081430605190

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 角野 雅芳 ,  多田 健太郎 ,  五明 明子 ,  日野 功 ,  堀田 等
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112234
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298242
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子及びその製造方法において、p-GaAsコンタクト層とp-GaInP層との間のヘテロ障壁を低減又は解消すると共に、不純物や空孔等の欠陥や格子不整合層を形成され難くし、さらには動作電圧及び素子抵抗を低くして、良好な温度特性と高い信頼性と生産性とを実現すること。【解決手段】 p-GaAsコンタクト層とp-(Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>Pクラッド層(0.1≦w≦1)との間にp型ヘテロ障壁緩和層10を有した半導体発光素子であって、前記p型ヘテロ障壁緩和層は、前記p-(Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>)<SB></SB><SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>Pクラッド層上に直接又は他の燐化合物半導体層を介して形成された単層又は複数層からなるp-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>1-y</SB>P<SB>y</SB>層22、23(0<x≦1、0<y≦0.2)を備え、該p-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>1-y</SB>P<SB>y</SB>層上に、前記p-GaAsコンタクト層が形成されている。

請求項（抜粋）：

p-GaAsコンタクト層とp-(Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0</SB><SB>.5</SB>Pクラッド層(0.1≦w≦1)との間にp型ヘテロ障壁緩和層を有した半導体発光素子であって、前記p型ヘテロ障壁緩和層は、前記p-(Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>Pクラッド層上に直接又は他の燐化合物半導体層を介して形成された単層又は複数層からなるp-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>1-y</SB>P<SB>y</SB>層(0<x≦1、0<y≦0.2)を備え、該p-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>1-y</SB>P<SB>y</SB>層上に、前記p-GaAsコンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/227

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/227

Fターム (13件)：

5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CB36 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA17 ,  5F073CB09 ,  5F073DA05 ,  5F073DA15 ,  5F073DA22 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-092644   出願人：ローム株式会社