ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107204
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061189
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】シリサイド膜のエッチングに用いた六フッ化硫黄(SF6 )を完全に除去した状態で、次のポリシリコン膜のエッチングを行うことによって、ポリシリコン膜にサイドエッチの生じないポリサイド膜の異方性エッチングを可能とする。【構成】シリコン酸化膜14上にポリシリコン膜13、その上にタングステンシリサイド膜12を成長してポリサイド膜を形成し、ホトレジスト11でパターンを形成する。この半導体基板のタングステンシリサイド膜12を、一般的に知られている平行平板型ドライエッチング装置を用いて、少なくとも六フッ化硫黄(SF6 )を含むガス系と、少なくともフロン14(CF4 )を含むガス系による2ステップエッチングを行った後、ポリシリコン膜のエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

フォトレジストをマスクとして下地酸化膜上のポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、上層のシリサイド膜を少なくとも六フッ化硫黄(SF6 )を含むガス系でエッチングを行い、次に少なくともフロン14(CF4 )を含むガス系による2段階のエッチングを行った後、ポリシリコン膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-093022
特開平4-096223
特開平3-062518

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