特許

J-GLOBAL ID：200903081436493202

磁気抵抗型センサ素子、とりわけ角度センサ素子

発明者： クラウス マルクス ,  ハルトムート キッテル ,  フランツ ヨースト ,  マルティン フライターク
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571277
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525610
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】磁気抵抗型センサ素子、とりわけ角度センサ素子であって、第1の磁気層(3)と、第2の非磁性層(2)と、第3の磁気層(1)とを有し、前記第1の磁気層(3)の磁化方向は基準方向を表し、前記第2の非磁性層は第1の磁気層(3)の上に構成されており、前記第3の磁気層(1)は第2の非磁性層(2)の上に構成されており、かつ第3の磁気層の磁化方向は外部磁界により影響を受ける形式のセンサ素子において、異なる基準方向を形成するために、前記第1の層(3)の磁化方向を選択的に配向するための手段(5)が設けられている。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗型センサ素子、とりわけ角度センサ素子であって、第1の磁気層(3)と、第2の非磁性層(2)と、第3の磁気層(1)とを有し、 前記第1の磁気層(3)の磁化方向は基準方向を表し、 前記第2の非磁性層は第1の磁気層(3)の上に構成されており、 前記第3の磁気層(1)は第2の非磁性層(2)の上に構成されており、かつ第3の磁気層の磁化方向は外部磁界により影響を受ける形式のセンサ素子において、 異なる基準方向を形成するために、前記第1の層(3)の磁化方向を選択的に配向するための手段(5)が設けられている、ことを特徴とするセンサ素子。

IPC (3件)：

G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 U ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AA03 ,  2G017AB09 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA13 ,  5D034CA08