特許

J-GLOBAL ID：200903081437725484

太陽電池用シリコンの精製方法

発明者： 加藤 嘉英 ,  湯下 憲吉 ,  上杉 浩之 ,  中戸 參 ,  弓立 浩三
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (1件)： 小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212533
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池用シリコンの素材としてより高純度のシリコンを精製し製造すること、およびp型、n型シリコンを分別精製するための方法を提案する。【解決手段】 半導体製造時に発生する廃シリコンのスラッジから太陽電池用シリコン原料を精製するに当たり、シリコン濃度90mass%以上(無水ベース)、含水率90mass%以下の廃シリコンスラッジを原料とし、この原料を、不純物成分濃度に応じ、不活性ガス雰囲気下もしくは減圧・真空雰囲気下で溶解する処理、酸化処理、および一方向凝固処理のいずれか一種以上の方法で処理し不純物を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体製造時に発生する廃シリコンのスラッジから太陽電池用シリコンを精製するに当たり、シリコン濃度90mass%以上(無水ベース)、含水率90mass%以下のシリコンスラッジを原料とし、このスラッジ原料を、不純物成分およびその濃度に応じ、不活性ガス雰囲気下もしくは減圧・真空雰囲気下で溶解する処理、酸化処理および一方向凝固処理のいずれか一種以上の方法で処理し、不純物を除去することを特徴とする太陽電池用シリコンの精製方法。

IPC (4件)：

C01B 33/037 ,  H01L 31/04 ,  C22B 9/02 ,  C22B 9/04

FI (4件)：

C01B 33/037 ,  C22B 9/02 ,  C22B 9/04 ,  H01L 31/04 X

Fターム (20件)：

4G072AA01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072RR03 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4K001AA23 ,  4K001BA14 ,  4K001EA01 ,  4K001EA02 ,  4K001EA03 ,  4K001EA05 ,  5F051AA03 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20