特許
J-GLOBAL ID：200903081443004357
面発光レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218579
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 面発光レーザとして知られる垂直空胴レーザの新規な構成を提供する。【構成】 活性領域のp形側と構造のその側のDBRの少なくとも主要な部分の中間に層電極をはさむ。
請求項（抜粋）：
レーザ放射を生じさせるためのフォトンを発生する半導体活性材料層を含む活性領域から本質的に構成される少なくとも一つの電気的にポンビングされる縦型キャビティレーザからなる装置であって、前記活性領域がp形導電形部分とn形導電形部分と半導体接合とを有し、前記活性領域が分布ブラッグ反射器間に挟まれ、前記反射器の各々はレーザ放射光に対して相対的に低い屈折率と相対的に高い屈折率とをそれぞれ有する複数の層からなり、前記活性領域をレーザ発振閾値まで電気的にポンピングする回路手段と共働して、前記分布ブラッグ反射器によって区切られるようにキャビティを規定する定在波の存在を可能にするレーザ発振を生じさせる装置において、前記回路手段は少なくとも一部が前記活性領域の外に出ている電極層を含み、それによって一つのDBRの少なくとも主要部が前記回路手段から除外され、前記電極層は前記回路全体の導電性を平均キャリヤ濃度1019cm-3になるようにドープされたDBR全体を含む回路の導電性よりも高くするのに十分な程度の導電率を有し、かつrをp形材料とそれに関係する電極層とからなる回路部分の回路抵抗(Ω)とし、Apを該回路部分をフォトンが通過する毎の吸収の割合とした場合、DBRの除外された部分のドープ量の減少に起因してレーザ放射の吸収を積r・Apの数値が0.25か又はそれ以下になるように減少させることを特徴とする装置。
引用特許：
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