特許
J-GLOBAL ID：200903081443573580
化学気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259261
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082649
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 基板の成長面へのダストの付着の低減を図り、ダストによる異常成長を防ぐことができる化学気相成長装置を提供する。【解決手段】 MOCVD装置などの化学気相成長装置において、サセプター3に穴3cを設け、この穴3cに成長面が下側に向くようにして水平に半導体基板2を保持する。サセプター治具4をサセプター3にかぶせるように取り付けることにより半導体基板2を押さえる。半導体基板2は水平方向に対して傾きをもって保持してもよい。
請求項（抜粋）：
成長が行われる主表面が下側に向いて基板が保持されるように構成されていることを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 H
