特許
J-GLOBAL ID：200903081445156138
改善された光学的近接補正システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-286358
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ及び反応性イオン・エッチング(RIE)のようなVLSIパターン転写操作において、マスクを事前に歪ませ、一方で重要なフィーチャのみ補正し、追加の頂点の生成を可能な限り除くことによって、その正確性を改善する。【解決手段】 この光学的近接補正(OPC)方法は一連の縮小、拡大、及び減算の操作を用い、リソグラフィ・マスク又はレチクル用の複雑なコンピュータ支援設計(CAD)データを、基本的な四角の組合わせに分解する。より詳細には、このOPC方法は最初にCAD設計中で複数のゲート領域を識別する。CAD設計中の複数の設計形状は、幾何学的タイプに従ってソートされる。ソートされた複数の設計形状は、第2の設計形状と少くとも1つの辺を共有する。ソートされた設計形状は、その後幅を基準にグループ化される。最後にゲート領域として識別され、グループ化された設計形状のすべては、適用可能なOPC規則に従って補正される。
請求項（抜粋）：
VLSIパターン化操作における正確性を制御するための光学的近接補正方法であって、(a) チップ設計の原設計データ・セットを入力するステップと、(b) 前記入力設計データ・セットのレベルに一連の縮小、拡大、及び減算の操作を含む分解手順を施し、前記設計データ・セット中の複数の設計形状を幾何学的タイプに従ってソートするステップと、(c) 設計にとって重要な領域である設計データ・セットの関連する部分を捜し出し、識別するステップと、(d) 設計にとって重要な領域であると識別された部分の形状を変える光学的近接補正を適用するステップと、を含む方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 G
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/302 E
