特許
J-GLOBAL ID：200903081446828466
半導体圧力センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-040042
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029633
出願日： 1991年03月06日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好で、過大圧保護機能を有する半導体圧力センサの製造方法を実現する。【構成】 以下の工程を有する製造方法。?@p型シリコン基板の表面に1層目のn型エピタキシャル層を成長させる工程。?A1層目のn型エピタキシャル層にp型拡散層を形成する工程。?B1層目のn型エピタキシャル層上に2層目のn型エピタキシャル層をダイアフラムの厚さに相当するまで成長させ、2層目のn型エピタキシャル層に歪検出素子を形成する工程。?C酸化膜をマスクにして、n型エピタキシャル層が形成されたp型シリコン基板の裏面から無電解の異方性エッチングによりp型拡散層に達する連通孔を形成する工程。?D再び酸化後、p型拡散層に接している面および表面側の電極取り出し口の酸化膜を除去する工程。?E連通孔を通してp型拡散層を電解エッチングで選択除去して空隙を形成する工程。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板に設けられこの半導体基板にエピタキシャル成長により形成されたダイアフラムを形成する狭い空隙と、この空隙と外部とを連通する連通孔と、前記ダイアフラムに設けられた歪検出素子とを備えた半導体圧力センサを下記の工程により製造することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。(a)p型シリコン基板の一面(表面)に1層目のn型エピタキシャル層を成長させる工程。(b)前記1層目のn型エピタキシャル層にp型拡散層を形成する工程。(c)前記1層目のn型エピタキシャル層の上に2層目のn型エピタキシャル層を前記ダイアフラムの厚さに相当するまで成長させ、この2層目のn型エピタキシャル層に歪検出素子を形成する工程。(d)酸化膜をマスクにして、前記n型エピタキシャル層が形成された前記p型シリコン基板の裏面から無電解の異方性エッチングにより前記p型拡散層に達する前記連通孔を形成する工程。(e)再び酸化後、前記p型拡散層に接している面および表面側の電極取り出し口の酸化膜を除去する工程。(f)前記連通孔を通して前記p型拡散層を電解エッチングで選択除去して前記空隙を形成する工程。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
