特許
J-GLOBAL ID：200903081447945440
膜評価方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-014944
公開番号（公開出願番号）：特開2004-226260
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】膜表面の凹凸が大きい場合でも、その凹凸の影響を受けずに、ラマン散乱光を基に膜を評価する。【解決手段】励起光発光部1から励起光eを出射し、ガラス基板P上に形成された多結晶性シリコン薄膜Mのガラス基板Pとの界面B付近にガラス基板Pを通して励起光eを集光する。そして、多結晶性シリコン薄膜Mのガラス基板Pとの界面B付近でのラマン散乱光sを、ガラス基板Pを通して、散乱光受光評価部3で受光し、該ラマン散乱光sを基にしてラマン強度,ラマンピークシフト量,ラマンピーク線幅,電子移動度の少なくとも一つを求める。【効果】平滑面である界面B付近の薄膜Mに焦点fを設定し共焦点とするため、薄膜Mの表面の凹凸が大きい場合でも、その凹凸の影響を全く受けないで、ラマン散乱光sを基に薄膜Mを評価することが出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
平面基板上に形成された膜の前記平面基板との界面付近に前記平面基板を通して励起光を集光し、前記膜の前記平面基板との界面付近でのラマン散乱光を前記平面基板を通して集光し、前記ラマン散乱光を基にして膜を評価することを特徴とする膜評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2G043AA03
, 2G043BA07
, 2G043CA07
, 2G043EA03
, 2G043GA02
, 2G043GB01
, 2G043HA01
, 2G043HA02
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106AA20
, 4M106BA04
, 4M106CB12
, 4M106CB19
, 4M106DH01
, 4M106DH12
, 4M106DH31
, 4M106DH38
