特許
J-GLOBAL ID：200903081448106425
半導体装置用リードフレームの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121116
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326702
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】パラジウムめっきの下地に設けるニッケルめっきのピンホールを極力少なくし、パラジウムめっきを鉄合金材に施しても良好な耐食性を維持できるようにする。【構成】半導体装置用のリードフレームを製造するには、めっき工程が必要である。まずパラジウムの下地めっきとしてNiめっき膜を施す。その後、少なくともインナリード部およびアウタリード部にパラジウムめっき膜またはパラジウム合金膜を施す工程を備える。Niめっき膜を施す際、パルス電流を印加してパルスめっきによりニッケルめっき膜を形成する。パルス波は、デューティサイクル5〜25%とすると、平滑直流で作成した試料よりも鉄溶出量が少なくなり、耐食性、すなわちピンホールが少なくなる。また、周期1〜100msとすると、比較的鉄溶出量は少なく実用上問題のないレベルとなる。
請求項（抜粋）：
半導体装置用リードフレームにNiめっき膜を施した後、パラジウムめっき膜またはパラジウム合金めっき膜を施す工程を備え、上記ニッケルめっき膜を施す際、パルスめっきによって施すようにしたことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, C25D 5/12
, C25D 5/18
, C25D 7/12
