特許

J-GLOBAL ID：200903081452904034

半導体ウェハの洗浄槽、洗浄装置および洗浄方法

発明者： 松尾 昭男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144284
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343757
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 洗浄処理能力が低下すること及び半導体ウェハを破損すること無く、半導体ウェハの洗浄度を向上する洗浄槽、洗浄装置及び洗浄方法を提供する。【解決手段】 キャリア2が洗浄槽1内に配置されるとき、キャリア2に収納されている半導体ウェハ3は、洗浄槽1の底面19に形成されている突起部4の上面20に当接する。このとき、半導体ウェハ3はキャリア2のガイド溝30に収められているため、ガイド溝30に沿って移動する。そして、半導体ウェハ3はキャリア2の支持面8から離れ、突起部4の規制位置に半導体ウェハ3は保持される。洗浄槽1の洗浄液供給口7から洗浄液タンク部10内に洗浄液6が供給され、噴出孔5から槽内に洗浄液6が噴出する。そして、洗浄液6は、槽内において、噴出孔5から上方へ流動し、洗浄槽1の上部の開口50から洗浄液6がオーバーフローし、半導体ウェハ3が洗浄される。

請求項（抜粋）：

底面と、前記底面から槽内に突出する半導体ウェハの位置規制用の突起部と、前記底面に設けられた洗浄液の噴出孔とを備える半導体ウェハの洗浄槽。

IPC (2件)：

H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 642 D