特許
J-GLOBAL ID：200903081456021730
液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-167721
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 安価なガラス基板上に高速な単結晶シリコン製のMOS-FETを形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造する。【構成】 表面に拡散層が形成された凹部の有る単結晶シリコン製のMOS-FETをシリコンウェハ上に形成した後、ガラス基板に接着し、その後、シリコンウェハをラッピングにより薄板化し、かつ凹部を光が通過できる開口部にし、露出した開口部の拡散層に表示電極を電気的に接続して液晶表示装置のアクティブマトリクス基板とする。
請求項（抜粋）：
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法において、あらかじめFETマトリクスとその駆動回路が形成されたシリコン基板をガラス基板にシリコン基板の表面側で接着する工程と、ガラス基板に接着された前記シリコン基板をシリコン基板の裏面側から機械的化学的手段で薄板化する工程と、薄板化された前記シリコン基板の裏面側に表示電極及び配向膜を形成する工程と、前記ガラス基板の表示電極の有る面と対向ガラス基板の対向電極の有る面との間に液晶を保持する工程とを備えた液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/133 550
