特許

J-GLOBAL ID：200903081456717190

マイクロ波半導体集積回路及びその製造方法

発明者： 戸塚 正裕 ,  松岡 敬 ,  奥 友希
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140377
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065110
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 従来は、工程数が多く、コスト削減の妨げとなっていた。良好な絶縁膜/金属界面を得ることが困難なため、絶縁膜の薄膜化ができず、電極面積が大きくなっていたので、チップ面積を大きくせざるを得なかった。また、注入抵抗を作製するには、抵抗値を安定させるため、良質な半導体基板を用いる必要があり、コスト増加を招いていた。さらに、従来の構造及びプロセスフローでは、外観不良の発生しやすいリフトオフ工程が3回と多く、歩留まりが低下するという問題点があった。【解決手段】 同一基板1上に存在する全ての受動素子、すなわち、連続MIMキャパシタ、薄膜抵抗、及びインダクタをメッキ電極14により配線したものである。

請求項（抜粋）：

同一基板上に存在する全ての受動素子がメッキ電極により配線されていることを特徴とするマイクロ波半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 27/04 F ,  H01L 23/12 B ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 L