特許

J-GLOBAL ID：200903081462052184

微細パターンの作成方法

発明者： 徳田 一成
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355901
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186412
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 高さが連続的に変化する微細パターンを効率よく生産する。【構成】 フォトレジスト6に所定のパターンを形成する際、透光部もしくは遮光部が複数に分割され、この透光部もしくは遮光部の面積の割合をそのパターンの高さの変化に対応させたフォトマスクを用いる。そのフォトマスクを介してフォトレジスト6を露光してフォトレジスト6に露光量分布を与えることにより、基板1に対する高さが変化するようなパターンをフォトレジスト6に形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にフォトレジストを塗布し、該レジストに所定のパターンを形成する際、基板に対する高さが変化するようなパターンとし、このパターンを基に、該基板に微細なパターンを形成する微細パターンの作成方法において、該レジストに所定の該パターンを形成する際、透光部もしくは遮光部が複数に分割され、この透光部もしくは遮光部の面積の割合を該パターンの高さの変化に対応させたフォトマスクを用い、該フォトマスクを介してレジストを露光してレジストに露光量分布を与えることにより、基板に対する高さが変化するようなパターンをレジストに形成することを特徴とする微細パターンの作成方法。

IPC (5件)：

G02B 5/18 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-116602
  
• 特開昭62-265601
  
• 特開昭61-027505