特許
J-GLOBAL ID：200903081466625634
単層カーボンナノチューブの製造方法、単層カーボンナノチューブおよび単層カーボンナノチューブ含有組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
小川 信一
, 野口 賢照
, 斎下 和彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003001468
公開番号（公開出願番号）：WO2003-068676
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2003年08月21日
要約：
酸素を有する化合物からなる炭素源の雰囲気を加熱温度下に触媒に接触させることにより単層カーボンナノチューブを生成する。酸素を有する化合物からなる炭素源として、アルコール類及び/又はエーテル類が好ましく使用され、触媒には金属が好ましく使用され、また加熱温度として500〜1500°Cが好ましく使用される。単層カーボンナノチューブ以外の異物が混入していない、欠陥が少なく品質のよい単層カーボンナノチューブが生成される。
請求項（抜粋）：
酸素を有する化合物からなる炭素源又は酸素を有する化合物と炭素を有する化合物の混合物を加熱温度下に触媒と接触させることにより単層カーボンナノチューブを生成する、単層カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, B01J29/14 M
