特許
J-GLOBAL ID：200903081467035229
多結晶半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095223
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274080
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアニール回数を増やすことなく粒径サイズの大きな多結晶半導体薄膜を製造する方法を提供し,また,多結晶半導体薄膜の面配向や結晶粒径を制御することができる多結晶半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 ゲルマニウムを含む多結晶シリコン薄膜電界効果型トランジスター(以下,poly-Si(Ge)TFT)の製造工程におけるpoly-Si(Ge)層形成工程で,CVDにより多結晶半導体薄膜を直接形成し,その後でこの多結晶半導体薄膜をエキシマレーザーによりアニールする。その際に,多結晶半導体薄膜の成長過程で反応圧力を制御することで,核発生密度を制御し,発生する核の面配向を制御し,2次的な結晶成長が最も起こりやすい(111)優先配向にコントロールし,発生した核を選択的に成長させ,多結晶半導体薄膜の成長過程で反応圧力を制御することで,CVDで形成した多結晶半導体薄膜の面配向を(111)優先配向とさせる。
請求項（抜粋）：
基板面上に多結晶半導体膜を直接形成する薄膜形成工程と,レーザーによって前記多結晶半導体膜をアニールするレーザーアニール工程とを備え,前記レーザーはエキシマレーザーであることを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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