特許

J-GLOBAL ID：200903081468542990

半導体装置の製造方法

発明者： 東 光敏 ,  宮川 弘志 ,  荒井 直 ,  林 浩一郎
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130308
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330340
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】基板のランナー部のみに封止樹脂に対して剥離性を呈するソルダーレジスト層を工業的に形成し、樹脂封止の際に、基板上に形成されるランナー樹脂を基板から容易に剥離し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板20の一面に形成された半導体素子34の搭載部及びその近傍に形成された導体パターン22のボンディング部32を除く基板面に、基板20に対する密着性と封止樹脂に対する剥離性とを併有するソルダーレジストを塗布した後、基板20に塗布したソルダーレジストのうち、樹脂封止後にランナー樹脂が形成される基板20のランナー部51に塗布されたソルダーレジストを除く、少なくとも樹脂封止される基板20の封止部分に塗布されたソルダーレジストを、石英ガラス38を透過した紫外線の照射によって封止樹脂に対し密着性を呈するソルダーレジストに変換し、次いで、基板20に搭載された半導体素子34が配置された封止金型のキャビティ内に、ランナー部51に沿って配設された封止金型の樹脂注入路から封止樹脂を注入することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の一面に搭載された半導体素子が配置された封止金型のキャビティ内に、前記基板の一面に形成されたランナー部に沿って配設された封止金型の樹脂注入通路から封止樹脂を注入し、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する際に、該基板の一面に形成された半導体素子の搭載部及び搭載部近傍に形成された導体パターンのボンディング部を除く基板面に、基板に対する密着性と封止樹脂に対する剥離性とを併有するソルダーレジストを塗布した後、前記基板の搭載部に搭載された半導体素子と導体パターンのボンディング部とを電気的に接続すると共に、前記基板に塗布された前記ソルダーレジストのうち、基板のランナー部に塗布されたソルダーレジストを除く、少なくとも樹脂封止される基板の封止部分に塗布されたソルダーレジストを、紫外線等の光線を照射して封止樹脂に対し密着性を呈するソルダーレジストに変換し、次いで、前記基板に搭載された半導体素子が配置された封止金型のキャビティ内に、基板のランナー部に沿って配設された封止金型の樹脂注入路から封止樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 23/30 R