特許
J-GLOBAL ID：200903081474024755
埋込プラグの形成方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022399
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 ヴィア孔底面の下層配線金属膜上のアルミナ層または反射防止膜のエッチング終了時点を検出し、制御性よくこれら各膜をエッチング除去して埋込プラグを形成する方法およびその装置を提供する。【構成】 ヴィア孔14aの底面にあるアルミナ層15はCl系ガスを用いたプラズマによりエッチングされ、このエッチング時にAl発光が生じる。この発光強度は、アルミナ層15のエッチング開始後一定した値を示すが、アルミナ層15についてのエッチングが終了し、より多くのAlを含む下層配線金属膜13についてのエッチングが始まる一定時間経過後にステップ状に増加する。従って、この強度変化を光センサ6で検出することにより、エッチング終了時点を検知することが可能になる。
請求項（抜粋）：
Al金属を含んだ下層配線金属膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜の一部を選択的に除去してヴィア孔を開口する工程と、このヴィア孔の底面に露出した前記下層配線金属膜の表面を塩素系ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチする工程と、前記ヴィア孔内に埋込プラグを選択的に形成する工程とを備えた埋込プラグの形成方法において、前記プラズマエッチの際に、プラズマ中の特定波長の発光を観察し、その強度変化を検知して前記プラズマエッチの停止時点を決定する工程を備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/02
, C23F 4/00
