特許
J-GLOBAL ID：200903081474737964
交換結合膜の製造方法および磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329882
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 高い交換結合磁界を示す交換結合膜の製造方法を提供する。【解決手段】 反強磁性層4の配向面を、磁気モーメントが面に対して平行で、かつ、面内で強磁性的に配列している(100)面とするために、窒素ガスが添加されたアルゴンガス中で、fcc構造の強磁性体を材料として、強磁性層3を形成する。これにより、強磁性層3を(100)面配向とできるので、反強磁性層4の配向面を(100)面とすることができる。
請求項（抜粋）：
強磁性層と、この強磁性層に隣接して形成された反強磁性層とを備え、これら強磁性層と反強磁性層との交換結合により、上記強磁性層の磁化の方向が固定されている交換結合膜の製造方法において、窒素ガスが添加されたアルゴンガス雰囲気中で、面心立方構造を有する強磁性体を材料として、上記強磁性層を形成する第1の工程と、反強磁性体を材料として、上記反強磁性層を上記強磁性層の上に形成する第2の工程とを含んでいることを特徴とする交換結合膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 41/16
, H01F 10/08
, H01L 43/12
H01F 41/16
, H01F 10/08
, H01L 43/12
