特許
J-GLOBAL ID:200903081474781963
指紋認識用半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-301376
公開番号(公開出願番号):特開2001-120519
出願日: 1999年10月22日
公開日(公表日): 2001年05月08日
要約:
【要約】【課題】指の押圧時の静電気の放電とクラックの発生を破壊を防止し、信頼性を向上することができる指紋認識用半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板20にマトリクス状などに並べられて形成され、電荷を蓄積する複数個の第1電極31(SP)と、第1電極がワード線30をゲート電極とするトランジスタの一方のソース・ドレイン領域に接続する構成など、第1電極の下部に形成され、第1電極のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子とを有し、第1電極および第1電極の間隙部を被覆して形成された窒化シリコンなどを含む保護膜21と、第1電極の間隙部において保護膜の表面に形成された溝Vと、溝に埋め込まれて碁盤の目状などに形成され、接地電位あるいは電源電位などの一定電位に固定される第2電極32(NT)とを有する構成とする。
請求項(抜粋):
基板に並べられて形成され、電荷を蓄積する複数個の第1電極と、前記第1電極の下部に形成され、前記第1電極のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子と、前記第1電極および前記第1電極の間隙部を被覆して形成された保護膜と、前記第1電極の間隙部において前記保護膜の表面に形成された溝と、前記溝に埋め込まれ、一定電位に固定される第2電極とを有する指紋認識用半導体装置。
IPC (4件):
A61B 5/117
, G01B 7/28
, G06T 1/00
, H01L 29/84
FI (4件):
G01B 7/28 H
, H01L 29/84 Z
, A61B 5/10 322
, G06F 15/64 G
Fターム (22件):
2F063AA42
, 2F063AA43
, 2F063BA29
, 2F063CA28
, 2F063CA40
, 2F063DA02
, 2F063DA05
, 2F063DD07
, 2F063HA04
, 4C038FF01
, 4C038FF05
, 4C038FG00
, 4M112AA10
, 4M112BA02
, 4M112BA07
, 4M112CA46
, 4M112CA52
, 4M112CA54
, 5B047AA25
, 5B047BB04
, 5B047BC01
, 5B047BC30
前のページに戻る