特許

J-GLOBAL ID：200903081475142719

帯電防止膜およびその製造方法

発明者： 美濃 規央 ,  曽我 眞守 ,  小川 一文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-202210
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：

【要約】【目的】化学吸着法を用いて、きわめて薄いナノメータレベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に化学結合によって形成することにより、基体の特性を損なうことなく帯電防止膜を得る。【構成】分子内にアセチレニル基、ジアセチレニル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基などのπ共役系官能基を含む(アルキル)クロロシラン系化学吸着剤化合物を非水系溶媒に溶かし、水酸基などの活性基を有する基材11表面に接触させる。前記化学吸着剤は基材表面とシラノール基を介して化学結合する。未反応化学吸着剤を洗浄除去することにより導電性化学吸着単分子膜14 ́を形成できる。次に電子線を10メガラッド程度照射して、ポリアセチレン膜15とする。基材11表面には、予めシロキサン単分子膜13 ́を形成しておくことが好ましい。

請求項（抜粋）：

導電性が10-10 S/cm以下の基材の表面に、10-5S/cm以上の導電性を有する導電性化学吸着単分子膜が、基材の表面と化学結合して形成されている帯電防止膜。

IPC (11件)：

C08J 7/04 ,  B05C 3/02 ,  B05D 1/20 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/24 302 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 7/04 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/00 101 ,  H05F 1/02 ,  C07F 7/12