特許

J-GLOBAL ID：200903081482591243

半導体装置の製造方法

発明者： 三島 康由 ,  竹井 美智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191867
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037032
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 絶縁性基板上の単結晶、微結晶または多結晶の半導体層に不純物をイオン注入する工程に特徴を有する半導体装置の製造方法に関し、不純物をイオン注入した後に高温で熱処理を施す必要がない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 絶縁性基板1の上に形成された単結晶、微結晶または多結晶の半導体層2に不純物イオン4を注入してイオン注入領域3bを形成する工程において、半導体層2を昇温した状態で不純物をイオン注入する。この場合半導体層の昇温を450°C以下に抑えて不純物分布の変動を防ぐことができ、不純物イオンを質量分離し、あるいは、質量分離しないで注入することができ、さらに、イオン注入後の冷却速度を5°C/min以下にして配線層の損傷を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された単結晶、微結晶または多結晶の半導体層に不純物イオンを注入する工程において、該半導体層を昇温した状態で不純物をイオン注入する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-194326
  
• 特開昭64-011317