特許

J-GLOBAL ID：200903081482876930

パターン形成方法およびT型ゲート電極のパターン形成方法

発明者： 巳浪 裕之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125130
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335670
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 解像限界以下の微細な残しパターンを形成するパターン形成方法を得る。【構成】 基板1上にパターン形成用レジスト5を形成し、これを露光,現像して、残しパターンが必要な位置にパターン端が来るようにパターニングする。その後、全面にミキシング形成用ポジ型レジスト6を塗布した後、所定温度でべーキングを行って前記パターン形成用レジスト5にミキシング層7を形成する。その後、前記ミキシング形成用ポジ型レジスト6を全面露光,現像して前記ミキシング形成用ポジ型レジスト6を除去し、さらに、パターン形成用レジスト5上のミキシング層7を除去し、ミキシング層7以外のパターン形成用レジスト5を除去して所望の残しパターン9を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上にパターン形成用レジストを塗布する工程と、前記パターン形成用レジストの一部を除去する工程と、前記パターン形成用レジストの上面および側面にミキシング形成用ポジ型レジストを塗布した後、プリベークを行い、前記パターン形成用レジストの上面および側面にミキシング層を形成する工程と、前記ミキシング形成用ポジ型レジストを露光した後、前記ミキシング形成用ポジ型レジストのみを現像し、ミキシングしていない前記ミキシング用ポジ型レジストを除去する工程と、前記パターン形成用レジストの上面に形成されたミキシング層のみを除去する工程と、前記パターン形成用レジストの側面に形成された前記ミキシング層を残して前記パターン形成用レジストを除去し、ミキシング層のみの微細な残しパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 573