特許
J-GLOBAL ID：200903081491735991
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230042
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086638
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 高反射率,広反射帯域を持つ半導体多層反射膜を作成して光取出し効率の向上をはかることができ、かつ異色波長迷光を低減し得る高輝度のLEDを提供すること。【構成】 n型GaAs基板101と、この基板101上に形成された半導体薄膜からなるn型の半導体多層反射膜と、この半導体多層反射膜上に形成された、活性層105をn型クラッド層104及びp型クラッド層106で挟んだInGaAlP系ダブルヘテロ構造部とを備え、基板101と反対側の面上から光を取り出すLEDにおいて、半導体多層反射膜を、基板101側の広反射帯域特性を持ち吸収損失を有する第1のブラッグ反射鏡102と、ダブルヘテロ構造側の高反射率で透明な第2のブラッグ型反射鏡と103によって構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成された半導体薄膜からなる半導体多層反射膜と、この半導体多層反射膜上に形成された発光層を含む半導体積層構造部とを具備し、前記半導体基板と反対側の面上から光を取り出す半導体発光装置であって、前記半導体多層反射膜は、広反射帯域特性を有する第1のブラッグ反射鏡と、高反射率特性を有する第2のブラッグ反射鏡によって構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 27/12
, H01L 29/205
