特許
J-GLOBAL ID：200903081495479493
分布帰還型レーザダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013776
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217489
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 利得結合係数の大きく、単一モード動作の安定性が向上した利得結合型分布帰還型レーザダイオードを提供する。【解決手段】 光共振器を構成する回折格子の凹部に、選択的に絶縁層を含んだ埋込層を形成し、回折格子凹部における活性層中へのキャリアの注入を阻止する。
請求項（抜粋）：
活性領域の少なくとも一部に回折格子を備えた分布帰還型レーザダイオードにおいて、前記回折格子はその凹部が、絶縁層を少なくとも一部に含む埋込層により埋め込まれていることを特徴とする分布帰還型レーザダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2H049AA03
, 2H049AA34
, 2H049AA37
, 2H049AA55
, 2H049AA62
, 5F073AA03
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA15
