特許
J-GLOBAL ID：200903081495691182
除草剤
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-513904
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504431
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：
【要約】下式(I)の化合物。(式中、Eは、酸素又は硫黄であり;Aは、CR3又はNであって、R3は水素又はヒドロカルビルであり;Dは、5員又は6員の非芳香族複素環を完成させるものであって、該環は、酸素、窒素又は硫黄から選択される追加のヘテロ原子を任意に含有しかつ任意に置換された低級ヒドロカルビル基又は任意に置換されたヘテロアリール基により任意に置換されており;R1及びR2は、それぞれ独立して、水素、任意に置換された低級ヒドロカルビル、又は任意に置換されたヘテロアリールであるか、又はR1及びR2は、それらが結合している窒素原子と一緒に複素環を形成し;Zは、ハロゲン、任意に置換された低級ヒドロカルビル、任意に置換された低級ヒドロカルビルオキシ、任意に置換された低級ヒドロカルビルチオ、ヒドロカルビルスルフィニル若しくはヒドロカルビルスルホニル、シアノ、ニトロ、CHO、NHOH、ONR7'R7"、SF3、CO(任意に置換された低級ヒドロカルビル)、アシルアミノ、COOR7、SO2NR8R9、CONR10R11、OR12又はNR13R14であって、R7、R7'、R7"、R8、R9、R10及びR11は、独立して、H又は低級ヒドロカルビルであり;R12は、水素、SO2低級ヒドロカルビル又はCOR15であり;R13及びR14は、独立して、低級ヒドロカルビル、低級ヒドロカルビルオキシ又は基R12であり;R15は、OR16、NR17R18、水素又は低級ヒドロカルビルであり;R16は、低級ヒドロカルビルであり;R17及びR18は、独立して、水素又は低級ヒドロカルビルであり、2又はそれ以上の置換基Zが存在するときは、それらは同じであっても異なっていてもよいものとし;そしてmは、0又は1〜5の整数である。)
請求項（抜粋）：
下式(I)の化合物。(式中、Eは、酸素又は硫黄であり;Aは、CR3又はNであって、R3は水素又はヒドロカルビルであり;Dは、5員又は6員の非芳香族複素環を完成させるものであって、該環は、酸素、窒素又は硫黄から選択される追加のヘテロ原子を任意に含有しかつ任意に置換された低級ヒドロカルビル基又は任意に置換されたヘテロアリール基により任意に置換されており;R1及びR2は、それぞれ独立して、水素、任意に置換された低級ヒドロカルビル、又は任意に置換されたヘテロアリールであるか、又はR1及びR2は、それらが結合している窒素原子と一緒に複素環を形成し; Zは、ハロゲン、任意に置換された低級ヒドロカルビル、任意に置換された低級ヒドロカルビルオキシ、任意に置換された低級ヒドロカルビルチオ、ヒドロカルビルスルフィニル若しくはヒドロカルビルスルホニル、シアノ、ニトロ、CHO、NHOH、ONR7'R7"、SF5、CO(任意に置換された低級ヒドロカルビル)、アシルアミノ、COOR7、SO2NR8R9、CONR10R11、OR12又はNR13R11であって、R7、R7'、R7"、R8、R9、R10及びR11は、独立して、H又は低級ヒドロカルビルであり;R12は、水素、SO2低級ヒドロカルビル又はCOR15であり;R13及びR14は、独立して、低級ヒドロカルビル、低級ヒドロカルビルオキシ又は基R12であり;R15は、OR16、NR17R18、水素又は低級ヒドロカルビルであり;R18は、低級ヒドロカルビルであり;R17及びR18は、独立して、水素又は低級ヒドロカルビルであり、2又はそれ以上の置換基Zが存在するときは、それらは同じであっても異なっていてもよいものとし;そして mは、0又は1〜5の整数である。)
IPC (17件)：
C07D207/273
, A01N 47/18 101
, A01N 47/18
, C07D211/76
, C07D231/28
, C07D233/70
, C07D237/14
, C07D239/34
, C07D241/18
, C07D261/04
, C07D263/18
, C07D265/02
, C07D265/32
, C07D277/14
, C07D279/12
, C07D285/16
, C07D521/00
