特許

J-GLOBAL ID：200903081502744084

光電変換装置の製造方法

発明者： 菅原 信 ,  京田 豪 ,  北原 暢之 ,  有宗 久雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130432
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329876
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 従来の結晶質半導体粒子を用いた光電変換装置は低変換効率であった。【解決手段】 一方の電極となる基板1上に、第一導電形の結晶質半導体粒子3を多数配設し、この結晶質半導体粒子3間に絶縁物質2を介在させ、この結晶質半導体粒子3の上部に第二導電形の半導体層4、5を形成する光電変換装置の製造方法であって、上記第二導電形の半導体層4、5を水素ガスで希釈した原料ガスを分解して上記結晶質半導体粒子3上に堆積させて形成するとともに、上記原料ガスに対する上記水素ガスの濃度を上記第二導電形の半導体層の下部4より上部5で低くして形成する。

請求項（抜粋）：

一方の電極となる基板上に、第一導電形の結晶質半導体粒子を多数配設し、この結晶質半導体粒子間に絶縁物質を介在させ、この結晶質半導体粒子の上部に第二導電形の半導体層を形成する光電変換装置の製造方法において、前記第二導電形の半導体層を水素ガスで希釈した原料ガスを分解して前記結晶質半導体粒子上に堆積させて形成するとともに、前記原料ガスに対する前記水素ガスの濃度を前記第二導電形の半導体層の下部より上部で低くして形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A

Fターム (35件)：

4K030BA37 ,  4K030BA44 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030FA17 ,  4K030HA02 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045CA13 ,  5F045CB04 ,  5F045DA61 ,  5F045EE13 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA20 ,  5F051CA14 ,  5F051CA15 ,  5F051CA16 ,  5F051CA37 ,  5F051DA03