特許

J-GLOBAL ID：200903081515868190

スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド

発明者： 上野 昌紀 ,  永井 秀康 ,  鈴木 功一 ,  深川 智機 ,  樋上 文範
出願人/特許権者： リードライト・エスエムアイ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-331916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150235
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【解決手段】 基板上にTaなどの非磁性金属の第1下地膜21とその上に形成されるNiFeX(XはCr、Nb、Rhから選択される少なくとも1種)で表される合金の第2下地膜22とからなる下地層2を形成し、その上に非磁性導電層5を挟んで配置されたフリー磁性層4及びピン磁性層6と、反強磁性層7とを積層したスピンバルブ膜3を備えるスピンバルブ磁気抵抗センサにおいて、第2下地膜がfcc構造を有し、かつ(111)配向されている。【効果】 スピンバルブ膜の各膜層の(111)配向を強くし、一方向異方性磁場を大きくして、両磁性層間の相互作用磁場を小さくでき、熱的・磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上に下地層と、前記下地層の上に非磁性層を挟んで配置された1対の磁性層と、一方の前記磁性層に隣接する反強磁性層とを積層したスピンバルブ磁気抵抗センサであって、前記下地層が、非磁性金属の第1下地膜と、前記第1下地膜の上に形成されるNiFeX(XはCr、Nb、Rhから選択される少なくとも1種)で表される合金の第2下地膜とからなり、前記第2下地膜がfcc構造を有し、かつ(111)配向されていることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗センサ。

Fターム (8件)：

5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12