特許
J-GLOBAL ID：200903081516770509
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091938
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258459
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 微細なレジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 ウェハー上にレジストを形成し、レジストを露光した後、ウェハー上に現像ノズルから現像液を吐出してレジストを現像することによりレジストパターンを形成する場合に、レジストとして粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であるものを用いる。レジスト上に反射防止膜を形成してからレジストを露光する場合には、その反射防止膜形成用の材料としても、粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であるものを用いる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジストを形成し、上記レジストを露光した後、上記レジストが形成された上記基板上に現像液供給用ノズルから現像液を吐出して上記レジストの現像を行うことによりレジストパターンを形成するようにしたレジストパターンの形成方法において、上記レジスト中の粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/30 502
, G03F 7/004 501
, G03F 7/11 501
, H01L 21/027
G03F 7/30 502
, G03F 7/004 501
, G03F 7/11 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 569 C
, H01L 21/30 574
