特許
J-GLOBAL ID：200903081518561761
薄膜多層回路基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276413
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132421
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミドを層間絶縁層とする薄膜多層基板の製造方法に関し、サーマルビアの効果的な製造方法を提供することを目的とする。【構成】 セラミック基板上に放熱用金属層を形成し、この金属層上に反射防止用ポリイミド層を形成する工程と、サーマルビア形成位置に同じ穴径を有する層間絶縁層を位置合わせしながら積層する工程と、ドライエッチングを行なって穴の整形と反射防止用ポリイミド層の穴開けをする工程と、メッキ処理により穴を金属で埋める工程とを含むことを特徴として薄膜多層回路基板の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
ポリイミドを層間絶縁層とし、該層間絶縁層上にパターン形成してある導体配線層を該層間絶縁層に設けたビアで回路接続しながら積層してなる多層回路基板において、半導体チップの放熱用に設けるサーマルビアが、セラミック基板上に放熱用金属層を形成し、該金属層上に反射防止用ポリイミド層を形成する工程と、サーマルビア形成位置に同じ穴径を有する層間絶縁層を位置合わせしながら積層する工程と、ドライエッチングを行なって該穴の整形と反射防止用ポリイミド層の穴開けをする工程と、メッキ処理により該穴を金属で埋める工程と、を含むことを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 J
