特許
J-GLOBAL ID：200903081518962600
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022668
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】互いに向きが直交している強磁性体金属薄膜からなる磁気抵抗効果素子の小型化。【構成】ガラス基板1上に第1の強磁性体金属薄膜2を形成し、その裏面に第2の強磁性体金属薄膜2を90度向きを変えて形成する。第1の強磁性体金属薄膜2と第2の強磁性体金属薄膜はスルーホール3によって接続している。強磁性体金属薄膜2から外部への接続はワイヤボンディング5にてリードフレーム4へ接続している。1枚の基板の表裏にパターンを形成しているため、小型化が図れる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果を有する強磁性体金属薄膜よりなる磁気抵抗素子を、非磁性体絶縁基板の上下面に形成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 23/50
