特許

J-GLOBAL ID：200903081519369872

追記型薄膜メモリ

発明者： フレデリック・エイ・パーナー ,  トーマス・シー・アンソニー
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281128
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117684
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 書き込み電位の印加によって追記動作を行うことができるデータ記憶を提供する。【解決手段】 データ記憶装置は、薄膜メモリセルのグループを備える。メモリセルの少なくともいくつかの薄膜バリアを破損することで、追記動作を行うことができる。データ記憶装置は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)装置とすることができる。

請求項（抜粋）：

薄膜メモリセルのグループと、書き込み電位を前記メモリセルの少なくともいくつかに印加する回路と、を備え、前記メモリセルは、前記書き込み電位を印加すると破損する薄膜バリアを有することを特徴とするデータ記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置とその書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303251   出願人：シチズン時計株式会社