特許

J-GLOBAL ID：200903081522863632

半導体素子の分離方法

発明者： 中田 嘉昭
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340527
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 ダイシング工程を必要とせず、切り屑や冷却水によるチップの汚染を生ずることがなく、しかもエッチングロスを可及的に少なくして、高品質のチップを確実に得ることができる半導体素子の分離方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウェーハ1の素子形成部分2に保護膜3を形成した後、異方性エッチングを行うことにより、前記ウェーハ1を複数のチップ5に分離・分割するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの素子形成部分に保護膜を形成した後、異方性エッチングを行うことにより、前記ウェーハを複数のチップに分離・分割するようにしたことを特徴とする半導体素子の分離方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/306 C ,  H01L 21/78 S

Fターム (6件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043FF01 ,  5F043GG01 ,  5F043GG05 ,  5F043GG06