特許
J-GLOBAL ID：200903081524302719
面発光型半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069151
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 p型基板上に形成された面発光型半導体レーザ素子であって、高い光出力域でも単一横モードで安定的にレーザ光を出射する、酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光型半導体レーザ素子40は、低屈折率層と高屈折率層との複数個のペアからなるn型半導体多層膜反射鏡58、及びn型半導体多層膜反射鏡下に設けられた活性層54をメサポストとして備え、p型基板42上に形成された酸化層狭窄型の素子である。本素子では、n型半導体多層膜反射鏡の表面層近傍の低屈折率層に代えて、AlX Ga1-X As層(X≧0.98)62が設けられ、かつメサポストの外周部のAlX Ga1-X As層が、選択的に酸化されてAl酸化層64に転化し、メサポスト中央にアパーチャー(以下、第1のアパーチャーと言う)を形成して残留するAlX Ga1-X As層を取り囲んで光閉じ込め層を構成している。
請求項（抜粋）：
基板上に、低屈折率層と高屈折率層との複数個のペアからなるp型半導体多層膜反射鏡、活性層、及び低屈折率層と高屈折率層との複数個のペアからなるn型半導体多層膜反射鏡を有する面発光型半導体レーザ素子において、p型半導体多層膜反射鏡内又はその近傍、及びn型半導体多層膜反射鏡内又はその近傍のそれぞれに、AlxGa1-xAs(x≧0.98)層とAlxGa1-xAs(x≧0.98)層の外周部を酸化させてなる酸化狭窄層とからなる層を有し、かつp型半導体多層膜反射鏡内又はその近傍の酸化狭窄層の酸化幅は、n型半導体多層膜反射鏡内又はその近傍の酸化狭窄層の酸化幅より小さいことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F073AA07
, 5F073AA11
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073EA23
, 5F073EA24
