特許

J-GLOBAL ID：200903081524533770

半導体装置

発明者： 田中 博文 ,  在塚 眞 ,  村上 雅美 ,  ▲高▼村 一夫
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087341
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289681
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】低い比誘電率と高い耐熱性を兼ね備えるトレンチ素子分離構造を提供する。【解決手段】半導体基板101にトレンチTを形成した後、その内部にメソポーラスシリカ膜を埋設する。メソポーラスシリカ膜は、フッ素原子またはフッ素含有基が共有結合により固定化されたシリカ骨格を有し、膜中に均一に細孔が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された凹部に絶縁膜が埋め込まれてなる素子分離構造を有する半導体装置であって、前記絶縁膜は、フッ素原子またはフッ素含有基が共有結合により固定化されたシリカ骨格を有するメソポーラスシリカ膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  C08G 77/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C08G 77/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/76 L

Fターム (26件)：

4J035AA02 ,  4J035LB20 ,  5F032AA37 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032AA77 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH06 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ06