特許
J-GLOBAL ID：200903081526938408
半導体集積回路配線構造体及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310633
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163544
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】微細な半導体集積回路の配線構造においてAl配線に比べて比抵抗が低くエレクトロマイグレーションに優れた半導体の配線構造を実現する。【構成】Si基板1の表面に5000ÅのBPSGの絶縁膜2を設け、その表面にCu膜の下地としてバリアメタル層3を2mTorrのAr雰囲気中でRFマグネトロンスパッタリングによって成膜速度10Å/sで600Å成長させる。次に、その表面にCu層4をRFマグネトロンスパッタリングによって2mTorrのAr雰囲気中で成膜速度60000Å/minで1μm成長させる。次いで、これをパターニングしてCu配線5を形成する。さらに、無電解メッキ法によってCu配線5及びバリアメタル層3の周囲に選択的に厚さ500ÅのAu被覆6を形成してCu配線5を被覆する。
請求項（抜粋）：
耐酸化性無電解メッキ金属膜を外面に有するCu配線を備えたことを特徴とする半導体集積回路配線構造体。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, C23C 18/18
