特許
J-GLOBAL ID：200903081535081757
半導体光増幅素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196819
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は複数のサイズの異なった量子細線または量子箱を活性層に用いることにより、複数の波長の光を同時に増幅する機能を持った半導体光増幅素子を得ることを目的とする。【構成】 図1において、11はp-AlxGa1ーxAs層(x=0.5)、12はn型AlxGa1-xAs層(x=0.5)、13はアンドープAlxGa1ーxAs(x=0.3)、14はGaAs量子箱(または量子細線)、15は電極である。x方向を光の入射方向、z方向を電流の注入方向とする。14のGaAs量子箱(または量子細線)はサイズの異なる複数種類の量子箱(または量子細線)からなる。このような構造をもつ光増幅素子は特定の複数の波長の光のみを効率よく同時に増幅する機能を持つ。また本発明の量子箱と量子細線の作製方法は化合物半導体(311)B基板のウェットエッチング過程を有する。
請求項（抜粋）：
対向した1組の電極手段と、いずれか一方の電極手段に隣接して設けられたp型半導体層と、他方の電極手段に隣接して設けられたn型半導体層と、前記p型半導体層とn型半導体層との間に設けられた活性層部分を有する半導体光増幅素子であって、前記活性層がサイズの異なる少なくとも2種類以上の量子箱を有する半導体光増幅素子。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, G02F 1/35 501
, H01L 29/06
, H01L 33/00
, H01S 3/10
