特許
J-GLOBAL ID：200903081538495420
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264418
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 レジスト剥がれによる異物の発生を低減して半導体製造の歩留まりを向上させる。【構成】 半導体ウエハ1の表面にレジストパターンを形成する際、高濃度アルカリ溶液吐出用ノズル8から、現像工程で用いられる露光部のポジ型レジストを除去するアルカリ溶液よりも濃度の高い高濃度アルカリ溶液を半導体ウエハ1の裏面に吐出させ、これを半導体ウエハ1の表面に回り込ませることによって、半導体ウエハ1上に塗布されたポジ型レジスト4のうち、周縁部のポジ型レジスト4を溶解して除去し、周縁部のポジ型レジスト4の剥がれによる異物の発生を低減させる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上にポジ型レジストを塗布する塗布工程、所定の設計パターンを描いたマスクを通して露光光を前記ポジ型レジストに照射する露光工程、前記ポジ型レジストをべーキングするベーク工程、前記ポジ型レジストの露光部を第1のアルカリ溶液で除去する現像工程、前記半導体ウエハ上の周縁部の前記ポジ型レジストを、前記現像工程で用いる前記アルカリ溶液よりも濃度の高い第2のアルカリ溶液で除去する周縁除去工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 564 D
, G03F 1/08 X
, H01L 21/30 569 E
, H01L 21/30 577
